グラフェンのCVD法では、化学気相成長法（CVD）を用いて、銅、白金、イリジウムなどの金属基板上にグラフェンを成長させる。このプロセスでは、加熱された反応室内で気体状の反応物質を基板上に蒸着させ、そこで反応を起こして材料の膜（この場合はグラフェン）を形成する。CVDプロセスは、金属触媒の存在下、高温で反応する炭素含有ガスに基づいており、炭素種の分解触媒として、またグラフェン格子の核生成のための表面として機能する。
CVDグラフェンは、六方格子構造に配列した炭素原子の単一原子厚層である。CVDグラフェン」という用語は、特にその製造方法を指しており、他の形態のグラフェンとは異なる。CVDプロセスでは、数層や単層のグラフェン膜を合成できるため、グラフェン製造のボトムアップ手法として広く用いられている。グラフェン成長におけるCVDアプローチの人気は、研究室でのセットアップが容易であること、工業環境での長期使用に成功していること、そして製造のスケールアップが可能であることに起因する。
グラフェン製造のためのCVDプロセスは、温度、圧力、前駆体の性質、ガス流の状態、壁／基板温度、堆積時間、活性化方法など、さまざまな処理パラメータに基づいて、主に7つのタイプに分類することができる。これらの方法によって特性の異なるグラフェン系材料の合成が可能となり、大表面積のグラフェンを生産するための汎用的かつ効率的な方法となっている。
要約すると、グラフェンのCVD法は、気体反応物質を用いて金属基板上にグラフェンを成長させる化学気相成長法である。この方法では、単層または多層のグラフェンシートを製造することができ、ガス流量、温度、曝露時間などのさまざまな条件によって制御することができる。CVDプロセスは、その汎用性、拡張性、高品質グラフェン膜の効率性から、グラフェン製造に広く用いられている。
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