物理的気相成長法（PVD）と化学的気相成長法（CVD）の違いを理解することは、薄膜形成プロセスに携わる者にとって極めて重要です。
理解すべき5つのポイント
1.蒸気の発生方法
PVDでは、加熱やスパッタリングなどの物理的手段によって蒸気を発生させる。
CVDでは、気体状の前駆体を基板表面で化学反応させて薄膜を形成する。
2.成膜プロセスの性質
PVDでは、気体分子がイオン化し、解離して原子になり、凝縮して薄膜を形成する。
CVDでは、ガスを反応室に導入し、そこで固体材料と化学反応させて薄膜を形成する。
3.各プロセスの重要な側面
PVDの重要な点は、蒸気の形成と蒸着が純粋に物理的なプロセスであり、化学反応は関与しないことである。
CVDの重要な特徴は、基板表面で起こる化学反応であり、これが膜の形成につながる。
4.特定用途への適合性
CVDは通常、数ナノメートルから数マイクロメートルの薄膜に使用され、厚膜や三次元構造には適していない。
PVDは、使用する特定の技術によって、より汎用性が高くなる。
5.PVDとCVDの技術
PVDの技術には、電子銃による蒸着、カソードアークによる蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシーなどがある。
CVD技術には、熱（従来型）CVDとプラズマ活性化（PECVD）がある。
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