半導体の成膜プロセスは、電子機器の製造において極めて重要なステップである。特定の電気的特性を持たせるために、シリコンウエハー上に材料の薄い層を塗布する。
5つの主要テクニックを解説
1.化学気相成長法（CVD）
CVDは半導体業界でよく使われる技術である。化学反応を起こす気体状の前駆体を使用し、基板上に固体コーティングを形成する。このプロセスは通常、高温の反応室で行われる。CVDは汎用性が高く、半導体デバイスに必要な誘電体（絶縁体）や金属（導電体）の層を形成することができる。
2.プラズマエンハンストCVD (PECVD)
PECVDはCVDの一種。プラズマを利用して成膜プロセスを強化し、重要な絶縁層や精密な金属構造を形成することができる。
3.高密度プラズマCVD (HDP-CVD)
HDP-CVDもCVDの一種である。高密度プラズマを使用し、蒸着層の品質と制御を向上させる。
4.原子層堆積法（ALD）
ALDは、CVDの高精度な一種である。最新の半導体デバイスに不可欠な、極めて薄く均一な層を形成することができる。
5.物理的気相成長法（PVD）
スパッタリング、熱蒸着、電子ビーム蒸着などのPVD法は、高純度コーティングの製造に用いられる。これらの技術には、ソースから材料を放出し、基板上に堆積させる物理的プロセスが含まれます。PVDは、高純度で蒸着層の厚みや組成を正確に制御する必要がある用途に特に有効です。
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