DCスパッタリングとDCマグネトロンスパッタリングは、どちらも薄膜の成膜に用いられる技術である。
この2つの技法の主な違いは、ターゲット材料に印加する電圧の種類にある。
DCスパッタリングとDCマグネトロンスパッタリングの4つの主な違い
1.電圧印加
DCスパッタリングでは、一定の電圧がターゲット材料に印加される。
この技法は、低コストで制御性が高いため、導電性のターゲット材に好んで用いられる。
DCスパッタリングでは、不活性ガスの使用と最適化されたスパッタリング電力とともに、プラズマ環境を生成するための陽極と陰極が使用される。
これにより、高い成膜速度と成膜プロセスの精密な制御が可能になる。
2.プラズマ効率
一方、DCマグネトロンスパッタリングでは、ターゲット基板と平行にターゲット材料を入れた真空チャンバーを使用する。
ターゲットに一定の電圧を印加するという点ではDCスパッタリングと似ている。
しかし、DCマグネトロンスパッタリングではマグネトロンを使用するため、より効率的で集中したプラズマ放電が可能になる。
その結果、従来のDCスパッタリングに比べてスパッタリング速度が向上し、膜質が改善される。
3.多層成膜
DCマグネトロンスパッタリングの特筆すべき利点の一つは、多層構造を成膜できることである。
これは、複数のターゲットを使用するか、成膜プロセス中に異なるターゲット間で基板を回転させることで実現できる。
成膜パラメータとターゲットの選択を制御することで、光学コーティングや高度な電子デバイスなどの特定の用途向けに、特性を調整した複雑な多層膜を作成することができる。
4.応用適性
全体として、DCスパッタリングとDCマグネトロンスパッタリングのどちらを選択するかは、薄膜成膜プロセスの特定の要件によって決まる。
DCスパッタリングは導電性ターゲット材料に適しており、DCマグネトロンスパッタリングは効率向上と多層構造の成膜が可能です。
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