電子ビーム蒸着の蒸着速度は、プロセスの効率を左右する重要な要素である。
この蒸着速度は、毎分0.1 nmから毎分100 nmまで大きく変化する。
高い蒸着速度は、主に電子ビームからターゲット材料へのエネルギーの直接伝達によるものである。
この方法は、融点の高い金属に特に有効である。
このプロセスでは、集束した電子ビームを使って金属を加熱・蒸発させる。
このプロセスにおける電子の温度は、通常約3000℃である。
100kVの直流電圧源を使用して、電子をターゲット材料に向けて加速する。
線源表面のビーム照射部位で局所的に加熱することで、コンタミネーションを最小限に抑えます。
加熱された電子がソース材料に衝突すると、その運動エネルギーは熱エネルギーに変換される。
この熱エネルギーがソース表面を加熱し、蒸気の発生につながる。
温度が十分に高くなると蒸気が発生し、基板表面をコーティングする。
このプロセスは高度に制御可能で再現性がある。
また、薄膜の性能特性を向上させるイオンソースの使用にも適しています。
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