スパッタリングプロセスにおけるターゲットは、シリコンウェハーなどの基板上に薄膜を成膜するために使用される薄いディスクまたはシート状の材料である。このプロセスでは、通常アルゴンなどの不活性ガスからなるイオンをターゲットに浴びせることで、ターゲット表面から原子を物理的に放出させる。放出された原子は真空チャンバー内を移動し、基板上に堆積して薄く均一な膜を形成する。
詳細説明
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スパッタリングターゲットの組成と形状：
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スパッタリング・ターゲットは通常、金属、セラミック、プラスチックから作られ、用途に応じて使い分けられる。ターゲットは薄いディスクやシートのような形状をしており、スパッタリング・プロセスが行われる真空チャンバー内に設置される。スパッタリングのプロセス
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スパッタリング・プロセスは、ターゲットの入った真空チャンバーに基板を導入することから始まる。アルゴンなどの不活性ガスがチャンバー内に導入される。このガスのイオンは電界を利用してターゲットに向かって加速される。このイオンがターゲットに衝突するとエネルギーが移動し、ターゲットから原子が放出される。
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薄膜の蒸着：
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ターゲットから放出された原子はチャンバー内を移動し、基板上に堆積する。チャンバー内の低圧力と制御された環境により、原子が均一に蒸着され、一定の厚さの薄膜が形成される。このプロセスは、マイクロエレクトロニクスや太陽電池など、精密で均一なコーティングを必要とするアプリケーションにとって極めて重要である。スパッタリングターゲットの用途
スパッタリングターゲットは、さまざまな産業で広く使用されている。マイクロエレクトロニクスでは、アルミニウム、銅、チタンなどの材料をシリコンウェハーに成膜し、電子デバイスを作成するために使用される。太陽電池では、モリブデンなどの材料から作られたターゲットが導電性薄膜の製造に使用される。さらに、スパッタリングターゲットは、装飾コーティングやオプトエレクトロニクスの製造にも使用されています。
