スパッタリング・プロセスに一般的に使用されるRF周波数は、通常5~30 MHzの範囲である。
13.56 MHzは最も頻繁に使用される周波数である。
この周波数は、工業・科学・医療(ISM)機器用のITU無線規則によって標準化されている。
この標準化は、電気通信サービスへの干渉を避けるのに役立っている。
スパッタリングにおけるRF周波数に関する4つのポイント
1.13.56MHzの戦略的選択
13.56MHzの選択は戦略的である。
13.56MHzは、アルゴンイオンの運動量がターゲットに移動するのに十分な時間を確保するのに十分な低さである。
これは効果的なスパッタリングにとって極めて重要である。
周波数が高くなると、イオンの役割は減少する。
このプロセスは、電子ビーム蒸発に似て、電子が支配的になる。
2.絶縁材料に有利
RFスパッタリングにおける13.56 MHzの使用は、絶縁材料の成膜に特に有利である。
導電性材料に適した直流(DC)スパッタリングとは異なり、RFスパッタリングは高周波電源を利用する。
この電源は、絶縁特性を持つ材料を扱うことができる。
RFスパッタリングでは、低い圧力(15 mTorr以下)で不活性ガスプラズマを維持することができる。
DCスパッタリングでは、より高い圧力(約100 mTorr)が必要である。
この低圧環境は、ターゲット材料粒子とガスイオンとの衝突を減少させる。
これにより、基板上への直接的な成膜経路が容易になる。
3.RFスパッタリングのメカニズム
RFスパッタリングのメカニズムには、高周波で電位を交互に変化させることが含まれる。
これにより、ターゲット表面への電荷の蓄積を防ぐことができる。
RF電流の各サイクルは、ターゲット表面を効果的に洗浄する。
一方向に電流を流し続けると蓄積される電荷の蓄積を逆転させる。
このクリーニング効果は、スパッタリングプロセスの効率を維持するために極めて重要である。
特に、電荷の蓄積が成膜プロセスの妨げとなる絶縁性ターゲットの場合。
4.RF周波数の利点のまとめ
まとめると、13.56 MHzのRF周波数はスパッタリングで広く使用されている。
これはISM規格に適合しているためである。
絶縁材料の取り扱いに有効である。
低圧で動作するため、成膜プロセスの直接性と効率が向上します。
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