化学的気相成長法(CVD)と物理的気相成長法(PVD)の主な違いは、成膜方法と関連する反応の性質にある。CVDは基板表面での化学反応によって薄膜を成膜しますが、PVDは化学反応を伴わない物理的プロセスによって材料を成膜します。
CVDプロセス:
CVDでは、1つ以上の揮発性前駆体が基板とともに反応チャンバーに導入される。これらの前駆体は基板表面で反応または分解し、薄いコーティング層を形成する。このプロセスは、基板表面で実際に化学反応が起こることから、化学気相成長法と名付けられた。この方法は通常、数ナノメートルから数マイクロメートルの薄膜を成膜するのに用いられる。CVDは、より厚い膜の蒸着や三次元構造の形成には適していない。また、CVDプロセスの中には、危険なガスや化学物質を使用するものもあり、作業員の健康や安全に対するリスクもある。PVDプロセス:
対照的に、PVDは化学反応を伴わない。代わりに、真空または低圧環境で材料を気化させ、基板上に蒸着させる物理的なプロセスです。PVD法にはいくつかの種類があり、いずれもドライコーティング技術を用います。PVDには化学反応がないため、Physical Vapor Depositionと呼ばれています。PVD法は薄膜の成膜にも使用されるが、成膜メカニズムや適用条件がCVDとは異なる。
応用と選択