CVD（化学気相成長法）とは、基板と接触すると反応または分解する揮発性の前駆物質に基板をさらすことで、基板上に薄膜を蒸着させる方法である。
このプロセスは、制御された特性を持つ高品質・高性能のコーティングを製造できることから、エレクトロニクスやオプトエレクトロニクスを含む様々な産業において極めて重要である。
4つのポイント
1.CVDのメカニズム
前駆体の露出： 基板は1つ以上の揮発性前駆体にさらされる。これらの前駆体は通常、ガスまたは蒸気であり、目的のフィルムに必要な元素を含んでいる。
化学反応： 基材に到達すると、これらの前駆体は反応または分解し、所望の材料を表面に堆積させる。反応は、使用するCVD技術によって、熱、光、プラズマによって開始・維持される。
2.CVDプロセスの種類
熱CVD： 化学反応の開始と持続に熱を用いる。反応に高温を必要とする材料に適している。
プラズマエンハンストCVD（PECVD）： この方法は、化学前駆体を活性化するためにプラズマを使用し、熱CVDに比べて低温での成膜を可能にする。PECVDは、特に狭い溝への成膜に有効で、半導体製造への応用性を高めている。
3.CVDの応用
エレクトロニクス： CVDは、トランジスタ構造の絶縁材料や、電気回路を形成する導電性金属の成膜に用いられる。また、トランジスタの性能を向上させるために応力膜を使用する歪み工学にも不可欠である。
薄膜コーティング： CVDは、水やホコリなどの環境要因から半導体を保護するコーティングの製造を可能にします。また、金属、炭素系材料（グラフェンなど）、酸化物や窒化物のようなさまざまな化合物など、さまざまな材料の成長もサポートする。
4.CVDの利点
汎用性： CVDは、特定の特性を持つさまざまな材料を成膜できるため、多様な用途に適している。
均一性と制御性： このプロセスでは、複雑な表面であっても、均一な膜厚と制御された気孔率の成膜が可能です。
拡張性と費用対効果： CVDは、薄膜や二次元材料を合成するための制御可能で費用対効果の高い方法を提供するスケーラブルな方法です。
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