イオンビーム蒸着法の欠点には、ターゲット領域が狭いこと、蒸着速度が低いこと、装置の複雑さとコストが高いことなどがある。さらに、大面積で均一な膜厚を達成することは困難であり、基板の加熱や膜応力の問題が発生する可能性があります。
小さなターゲットエリアと低い蒸着率：
イオンビームスパッタリング成膜は、比較的小さなターゲット領域でのボンバードを特徴とし、これが成膜速度に直接影響する。この方法は、大面積で均一な膜厚の成膜には不向きである。特に誘電体の成膜速度は1～10Å/sと低く、特に高スループット用途ではプロセス効率の妨げとなる。装置の複雑さとコストが高い：
イオンビームスパッタリングに使用される装置は複雑で、イオンビームと蒸着プロセスを管理するための高度なシステムが必要となる。この複雑さは、初期投資を増加させるだけでなく、継続的な運用コストも増加させる。高いシステムコストと複雑さは、この技術を検討している組織、特に予算に制約のある組織にとって大きな障壁となりうる。
均一性と基板加熱の課題：
基板表面に均一なイオン照射を実現することは困難であることが多く、表面全体の膜特性のばらつきにつながります。この不均一性は、蒸着膜の品質や性能に影響を与えます。さらに、高エネルギーのターゲット材料は、過剰な基板加熱を引き起こし、基板を損傷したり、膜特性に悪影響を及ぼしたりする可能性があります。
膜応力とガス封入の問題：
