スパッタリングは物理蒸着（PVD）の一種である。この結論は、スパッタリングが化学気相成長（CVD）のように気相での化学反応に頼るのではなく、凝縮源（ターゲット）から基板への原子の物理的移動を伴うプロセスであるという説明に基づいている。
PVDとスパッタリングについての説明：
物理的気相成長法（PVD）には、原子、イオン、分子を基板に蒸着させて薄膜を形成するさまざまな技術が含まれる。スパッタリングはPVDの特定の手法で、ターゲット材料に高エネルギー粒子（通常はイオン）を衝突させ、ターゲットから原子を放出させ、その後基板上に堆積させる。このプロセスでは化学前駆体を使用する必要がないため、CVDとは区別される。CVDとの比較：
- 一方、化学気相成長法（CVD）では、揮発性の前駆体を使用し、熱や圧力にさらすことで化学反応を起こし、基板上に薄膜を堆積させる。CVDプロセスは高温を必要とすることが多く、より複雑な化学反応を伴うため、有毒物質や危険物質を使用することもある。CVDに対するスパッタリングの利点：
- 温度要件： スパッタリングは通常、CVDに比べて低温で作動するため、高温に耐えられない基板に適している。
- 材料の入手性： スパッタリングは特殊な前駆体を必要としないため、幅広い材料を成膜できる。
安全性と環境への配慮： スパッタリングを含むPVDは、CVDで使用される危険な前駆体の取り扱いと保管に関連する安全上の問題のいくつかを回避できる。
結論
