スパッタリングは物理蒸着（PVD）の一種である。
この結論は、スパッタリングが化学気相成長（CVD）のように気相での化学反応に頼るのではなく、凝縮源（ターゲット）から基板への原子の物理的移動を伴うプロセスであるという説明に基づいている。
5つのポイントの説明
1.PVDとスパッタリングの説明
物理的気相成長法（PVD）には、原子、イオン、分子を基板に蒸着させて薄膜を形成するさまざまな技術が含まれる。
PVDの一手法であるスパッタリングは、ターゲット材料に高エネルギーの粒子（通常はイオン）を衝突させることで、ターゲットから原子を放出させ、基板上に堆積させる。
このプロセスでは化学前駆体を使用する必要がないため、CVDとは異なる。
2.CVDとの比較
一方、化学気相成長法（CVD）では、揮発性の前駆体を使用し、熱や圧力にさらすことで化学反応を起こし、基板上に薄膜を堆積させる。
CVDプロセスはしばしば高温を必要とし、より複雑な化学反応を伴うため、有毒物質や危険物質の使用を含む可能性がある。
3.CVDに対するスパッタリングの利点
温度要件： スパッタリングは通常、CVDに比べて低温で作動するため、高温に耐えられない基材に適している。
材料の入手性： スパッタリングは特殊な前駆体を必要としないため、幅広い材料を成膜できる。
安全性と環境への配慮： スパッタリングを含むPVDは、CVDで使用される危険な前駆体の取り扱いと保管に関連する安全上の問題の一部を回避できる。
4.結論
スパッタリングプロセスの性質とPVDへの分類を考えると、スパッタリングがPVD技術であることは明らかである。
この分類は、CVDプロセスに特徴的な化学反応とは対照的な、スパッタリングに関わる物理的メカニズムによって裏付けられている。
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