走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて薄膜の厚さを測定する場合、一般的には薄膜の断面図を分析することになる。この方法は、厚さ100nmから100μmの半導体薄膜に特に有効である。SEMは膜厚を測定するだけでなく、特にエネルギー分散型分光法（EDS）検出器と組み合わせることで、薄膜の表面形態や元素組成に関する知見も得られます。
断面SEM分析：
SEMで薄膜の厚さを測定する最初のステップは、断面試料を作成することです。これには、薄膜のきれいで鮮明な断面が露出するように試料を切断することが含まれます。その後、試料をスタブに取り付け、SEMイメージングプロセス中の帯電を防ぐため、通常は金や白金などの導電性材料の薄膜でコーティングします。イメージングと測定
試料を作製したら、SEMで撮像する。電子ビームが試料表面を走査し、電子と試料の相互作用によって信号が生成され、試料の表面形状、組成、その他の特性に関する情報が得られる。膜厚測定では、膜厚を直接可視化できる断面図が重要である。膜厚は、SEM画像から膜の上面と基板間の距離を分析することで直接測定することができます。
精度と考察：
膜厚測定の精度は、SEMの解像度とサンプル前処理の質に依存します。高分解能のSEMでは、ナノメートル精度の測定が可能です。ただし、正確な分析を行うためには、試料の組成と構造がわかっていなければならないことに注意することが重要です。組成が不明な場合、厚さ測定に誤差が生じる可能性がある。
利点と限界：
