スパッタリングとイオンプレーティングは、どちらも基板上に薄膜を成膜するための物理的気相成長（PVD）技術である。
しかし、そのメカニズムや用途は異なる。
スパッタリングでは、プラズマ誘起衝突によってターゲット原子が放出される。
イオンプレーティングは、熱蒸発と高エネルギー粒子砲撃を組み合わせ、膜特性を向上させる。
1.材料成膜のメカニズム
スパッタリング
スパッタリングは、ターゲット材料に高エネルギー粒子（通常はアルゴンのような不活性ガスのイオン）を衝突させ、ターゲット表面から原子を放出させるプロセスである。
この放出は、放電によって発生するプラズマ環境下で行われる。
放出された原子は基板上に凝縮し、薄膜を形成する。
マグネトロンスパッタリングは、磁場を用いてプラズマをターゲット表面付近に閉じ込めることで、スパッタリングプロセスの効率を高める一般的な手法である。
スパッタリング中の基板温度は通常、化学気相成長法（CVD）よりも低く、200～400℃である。
イオンプレーティング
一方、イオンプレーティングは、熱蒸発とスパッタリングの両方の側面を統合した、より複雑なプロセスである。
イオンプレーティングでは、蒸着される材料は、蒸発、スパッタリング、アーク放電などの方法で気化される。
蒸着膜の同時または周期的な高エネルギー粒子砲撃は、膜の組成と特性を修正・制御し、密着性と表面被覆率を向上させるために使用される。
高エネルギー粒子は、不活性ガスまたは反応性ガスのイオン、または蒸着材料自体のイオンである。
後者はイオンビーム蒸着（IBAD）として知られている。
2.膜特性の向上
スパッタリング
スパッタリングは通常、原子がターゲットから放出された後、追加の高エネルギー砲撃を行うことはありません。
イオンプレーティング
イオンプレーティングは、密着性、被覆性、膜特性を向上させるために、特に高エネルギー粒子砲撃を組み込んでいる。
3.技術的バリエーション
スパッタリング
スパッタリングには、マグネトロンスパッタリングやバイアススパッタリングなどの技術が含まれる。
イオンプレーティング
イオンプレーティングには、アークイオンプレーティングやイオンビームアシスト蒸着などの手法が含まれる。
4.用途と好み
これらの違いは、各技術が特定の用途にどのように最適化されているかを浮き彫りにしている。
スパッタリングは、その簡便性から好まれることが多い。
イオンプレーティングは、高エネルギー粒子砲撃によって膜特性を向上させることができるため、好まれています。
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