CVD（化学気相成長法）は、その効率、安全性、費用対効果に影響するいくつかの重大な課題に直面している。これらの課題には、高い動作温度、有毒で反応性の前駆体ガスの使用、高いコスト、基板サイズの制限、プロセスの複雑さなどが含まれる。
高い動作温度：
CVDは通常、1000℃前後の高温で作動する。多くの基板はこの温度では熱的に安定しないため、この高温要件は問題となる可能性がある。このため、CVDプロセスで使用できる材料の種類が制限される。プラズマエンハンスト化学気相成長法（PECVD）やプラズマアシスト化学気相成長法（PACVD）のようないくつかの改良型CVDプロセスは、より低い温度で作動するため、使用可能な基板の範囲を広げるのに役立つ。有毒で反応性の前駆体ガスの使用：
CVDには蒸気圧の高い化学前駆体が必要であり、それらはしばしば有毒で危険である。これらのガスは、人の健康や環境に重大なリスクをもたらす。これらの前駆体の取り扱い、保管、廃棄には、ガスキャビネット、ガス監視システム、除害装置などの特別な安全対策が必要である。こうした予防措置は、CVDプロセスの複雑さとコストを増大させ、厳しい規制遵守を伴うこともある。
高コスト：
CVD装置は高価で、エネルギー集約型のプロセスであるため、運用コストが高くなる。さらに、CVDプロセスから生じる有毒で腐食性の副産物を中和することが、コスト全体を押し上げる。このようなプロセスの経済的負担は大きく、特定の用途にCVDを使用することの経済的実現性に影響を与える可能性がある。基板サイズの制限：
CVDプロセスは通常、CVD装置の処理チャンバー内に収まる基板への薄膜堆積に限定される。この制限により、大きな基板や不規則な形状の基板にCVDを適用することが制限され、このような基板が一般的な産業では大きな欠点となり得ます。
プロセスの複雑さ：
