スパッタリングは、さまざまな産業で材料成膜に用いられている汎用性の高い技術である。スパッタリング技法にはいくつかの種類があり、それぞれに独自の特徴と利点がある。
スパッタリング技術の主な4つのタイプ
1.直流（DC）マグネトロンスパッタリング
直流（DC）マグネトロンスパッタリングは、最も一般的な方法の一つである。この方法では、直流電源を使用して、低圧ガス環境でプラズマを発生させる。
プラズマは、通常金属またはセラミック製のスパッタされるターゲット材料の近くに生成される。プラズマによってガスイオンがターゲットと衝突し、原子が表面から外れて気相中に放出される。
磁石アセンブリによって発生する磁場は、スパッタリング速度の向上に役立ち、基板上へのスパッタリング材料の均一な堆積を保証する。
スパッタリング速度は、イオン束密度、単位体積当たりのターゲット原子数、ターゲット材料の原子量などの要素を考慮した特定の計算式を用いて算出することができる。
2.反応性スパッタリング
反応性スパッタリングでは、酸素のような非不活性ガスとシリコンのような元素ターゲット材料が組み合わされる。ガスはチャンバー内でスパッタされた原子と化学反応し、元の純粋なターゲット材料ではなく、コーティング材料として機能する新しい化合物を生成する。
この技術は、成膜プロセスで特定の化学化合物を生成する場合に特に有用である。
3.高周波（RF）スパッタリング
高周波（RF）スパッタリングも一般的な方法である。高周波電力を使ってプラズマを発生させるため、非導電性のターゲット材料に適している。
4.高出力インパルスマグネトロンスパッタリング (HiPIMS)
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング（HiPIMS）は、短いハイパワーパルスを使用し、より高いプラズマ密度と優れた膜特性を実現する新しい技術である。
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