グラフェンの剥離にはいくつかの方法があり、それぞれにユニークな特性と用途がある。
主な4つの方法
1.液相剥離法
液相剥離法では、適切な表面張力を持つ溶媒を用いて、バルクのグラファイトから生成したグラフェン薄片を安定化させる。
このプロセスでは通常、n-メチル-2-ピロリドン（NMP）などの非水溶媒や、界面活性剤を添加した水溶液が用いられる。
剥離のためのエネルギーは、当初は超音波ホーンソニケーションによって供給されるが、高いせん断力が使用されるようになってきている。
一般に収率は低く、単層や数層のグラフェン薄片を単離するためには遠心分離を用いる必要がある。
2.SiCの制御昇華
SiCの制御昇華は、主にエレクトロニクス産業でエピタキシャルグラフェンの製造に用いられている方法である。
このプロセスでは、電子ビームまたは抵抗加熱を用いて、超高真空中でSiC基板を熱分解する。
シリコンが脱離すると、表面の余分な炭素が再配列して六角格子が形成される。
しかし、この方法はコストが高く、大量生産には大量のシリコンを必要とする。
3.化学気相成長法（CVD）
化学気相成長法（CVD）は、成長基板と炭化水素ガス源を使用する汎用性の高い方法である。
ニッケルのような炭素溶解度の高い金属では炭素の拡散と偏析によって、銅のような炭素溶解度の低い金属では表面吸着によって実現できる。
CVD は、大面積の単層グラフェンを高品質で製造する上で特に有望であり、比較的安価である。
4.機械的剥離
機械的剥離は、GeimとNovoselovによって実証されたことで有名であり、粘着テープを用いてグラファイトからグラフェン層を剥離する。
この方法は、拡張性に限界があり、剥離層の数を制御できないため、主に基礎研究や研究に用いられている。
これらの方法にはそれぞれ長所と短所があり、どの方法を選択するかは、大面積で欠陥の少ない高品質のグラフェンが必要であるなど、アプリケーションの具体的な要件によって決まる。
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