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実験室用チューブ炉および半導体加工向け溶融石英レデューシングチューブ 高純度石英レデューサーアダプター
商品番号 : KT-SYG
価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ
- 材料組成
- 高純度溶融石英 (SiO2 ≥ 99.99%)
- 使用温度
- 連続 1100°C / 短期ピーク 1250°C
- 耐熱衝撃性
- 1100°Cから20°Cへの水中急冷でも破砕なし
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製品概要


高純度溶融石英レデューシングチューブは、高温炉、真空ネットワーク、プロセス配管の間で異なるチューブ径を接続するように設計された精密な移行継手として機能します。二酸化ケイ素含有量が99.99%を超える精製溶融シリカから製造されたこのコンポーネントは、優れた熱的弾性、光学的透明性、および化学的不活性を提供し、デッドゾーンや構造的破損のない信頼性の高い体積流量の移行を保証します。
半導体製造、化学気相成長(CVD)、太陽電池研究、および分析用熱化学実験室に広く展開されているこのアダプターは、主炉チャンバーとガス供給マニホールド、排気スクラバー、真空フィッティングを接続します。熱劣化や汚染リスクのためにエラストマー製または金属製の継手が不適当な過酷な熱システムにおいて、幾何学的なインターフェースの不一致を解消します。
1100°Cでの連続運転と1250°Cまでの過渡ピークに向けて設計されたこのコンポーネントは、極めて低い熱膨張係数を備えており、アグレッシブな炉サイクル中の急激な熱衝撃に対する完全な耐性をもたらします。均一な肉厚、正確な同心度、および完全な炉内アニーリングにより、厳格な真空および正圧条件下での長期的な機械的強度を保証します。
主な特長
- 超高純度材料: SiO2純度が99.99%を超え、全金属微量不純物が20 ppm未満のプレミアム溶融シリカから専用に製造されており、超クリーンな半導体、太陽電池、および薄膜堆積プロセスにおける基板汚染のリスクをゼロにします。
- 優れた耐熱衝撃性: 室温から1000°Cにわたり5.5 × 10⁻⁷ /°Cという超低熱膨張係数を備えており、微小亀裂、ひび割れ、または壊滅的な熱破壊を起こすことなく、1100°Cからの急激な温度勾配や瞬時の水冷に直接曝すことができます。
- 精密旋盤加工による形状: コンピューター同期型の石英加工ガラス旋盤を使用して製造されており、大径および小径の両方のボアセクションにわたって厳格な同心度、滑らかなテーパー移行、および均一な肉厚を維持し、局所的な熱応力や乱流ガスの再循環を防ぎます。
- 広範囲なスペクトルの化学的不活性: 沸騰温度での濃硝酸、濃硫酸、濃塩酸を含む腐食性酸、ならびに乾燥ハロゲンおよび揮発性前駆体蒸気に対してほぼ完全な耐性を示し、過酷な化学環境全体でプロセス化学の完全性を保護します。
- 高温での構造的剛性: 1100°Cでの連続運転条件下および1250°Cまでの断続的なピーク上昇の下で卓越した機械的安定性を維持し、深部負圧レジーム下での垂れ、軟化、または真空内破に抵抗します。
- 光学的透明性とプロセスの視認性: 260 nmから2500 nmまでの紫外、可視、および近赤外スペクトルにわたって高い分光透過率を実現し、熱処理中のプラズマ放電、前駆体流量、および蒸気凝縮ゾーンの明瞭な目視モニタリングを可能にします。
- カスタマイズ可能な端部終端およびジョイントインターフェース: 精密火炎研磨プレーンエンド、標準すり合わせテーパー継手、球面ボールソケット継手、またはビーズ付きクイックフランジプロファイルなど、多様な装置レイアウトにシームレスに統合するための多彩な接続構成で設計されています。
- 制御された炉内アニーリング: 機械的延伸およびホットテーパー加工中に導入された残留内部応力を根絶するために多段階プログラムサイクルアニーリングを受け、使用中の信頼性の高い物理的耐久性を確保するために光学式偏光子テストにより検証されます。
用途
| 用途 | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| 半導体拡散・酸化 | 高温拡散炉内で、大口径プロセスチューブを小径の反応性ガス供給インジェクターまたはフォアライン真空フランジに接続します。 | 金属汚染を防ぎ、超クリーンな大気シールを維持し、失透することなく1100°Cの連続プロセスサイクルに耐えます。 |
| 化学気相成長(CVD / PECVD) | 水平または垂直チューブシステムにおいて、反応物供給導管と主真空堆積チャンバーを橋渡しする一次ガス流量レデューサーとして機能します。 | 滑らかなテーパー形状により乱流再循環ゾーンを排除し、層流の前駆体流れと均一な薄膜成長を保証します。 |
| 高真空排気・フォアライン移行部 | 高真空セットアップにおいて、特大のプロセスチャンバーを標準的な真空ポンピングライン、コールドトラップ、および診断用圧力センサーと接続します。 | 構造的な座屈を起こさずに深い真空差圧を維持しながら、超高真空条件下で無視できるほどのガス放出率を実現します。 |
| 腐食性ガススクラビングおよびベントライン | 塩素、フッ素化合物、または酸性副生成物を含む腐食性排気流を、凝縮トラップおよび中和塔に接続します。 | 高温の排気温度で酸ミストやハロゲンに対して不浸透性であり、継手の早期腐食や致命的な排気漏れを防ぎます。 |
| 実験室用チューブ炉のボア縮小 | 大型の炉加熱チューブと標準化された実験室用ガラス器具または分析用プローブ挿入ポートとの間の寸法変換を容易にします。 | 研究者が、高価な炉エンドキャップをカスタム加工することなく、レガシー炉チューブ径をモジュール式装置に適応させることができます。 |
| 太陽電池シリコンウェーハ処理 | 太陽電池エミッタ拡散炉において、オキシ塩化リンまたは三臭化ホウ素ドーパント蒸気供給の移行ダクトとして機能します。 | 高キャリア寿命効率にとって不可欠な極端な化学的純度を保ちながら、アグレッシブなドーパントキャリア蒸気腐食に耐えます。 |
| 熱化学および熱分析 | 高温燃焼ボートまたは反応チューブを、質量分析計、光学式ガス分析計、およびコンデンサーコイルに直接結合します。 | 高感度な分析評価中のサンプルの吸着、触媒的副反応、または信号の歪みを防ぐ不活性なフロー経路を提供します。 |
| 光ファイバープリフォーム堆積(MCVD) | ファイバーコア向け改良型化学気相成長において、回転する石英スターティングチューブを化学物質フィードマニホールドおよび排気ブロワーに接続します。 | プリフォーム軸に沿って移動する強烈な酸水素炎の下で、高い回転同心度と機械的強度を保証します。 |
技術仕様
標準寸法バリエーション
| 製品モデル | 大端外径 (OD1) | 小端外径 (OD2) | 肉厚 (W) | テーパー長 (L1) | 全長 (L) | 移行形状 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KT-SYG-2515 | 25 mm (±0.3 mm) | 15 mm (±0.3 mm) | 2.0 mm (±0.2 mm) | 30 mm | 150 mm | 同心円 |
| KT-SYG-3825 | 38 mm (±0.5 mm) | 25 mm (±0.3 mm) | 2.5 mm (±0.3 mm) | 40 mm | 180 mm | 同心円 |
| KT-SYG-5025 | 50 mm (±0.5 mm) | 25 mm (±0.3 mm) | 3.0 mm (±0.3 mm) | 50 mm | 200 mm | 同心円 |
| KT-SYG-6040 | 60 mm (±0.5 mm) | 40 mm (±0.5 mm) | 3.0 mm (±0.3 mm) | 50 mm | 220 mm | 同心円 |
| KT-SYG-8050 | 80 mm (±0.8 mm) | 50 mm (±0.5 mm) | 3.5 mm (±0.3 mm) | 60 mm | 250 mm | 同心円 |
| KT-SYG-10060 | 100 mm (±0.8 mm) | 60 mm (±0.5 mm) | 4.0 mm (±0.4 mm) | 80 mm | 300 mm | 同心円 |
| KT-SYG-12080 | 120 mm (±1.0 mm) | 80 mm (±0.8 mm) | 4.5 mm (±0.4 mm) | 90 mm | 320 mm | 同心円 |
| KT-SYG-150100 | 150 mm (±1.2 mm) | 100 mm (±0.8 mm) | 5.0 mm (±0.5 mm) | 100 mm | 350 mm | 同心円 |
| KT-SYG-5025E | 50 mm (±0.5 mm) | 25 mm (±0.3 mm) | 3.0 mm (±0.3 mm) | 55 mm | 200 mm | 偏心フラットボトム |
| KT-SYG-8050E | 80 mm (±0.8 mm) | 50 mm (±0.5 mm) | 3.5 mm (±0.3 mm) | 65 mm | 250 mm | 偏心フラットボトム |
| KT-SYG-10060E | 100 mm (±0.8 mm) | 60 mm (±0.5 mm) | 4.0 mm (±0.4 mm) | 85 mm | 300 mm | 偏心フラットボトム |
| KT-SYG-CUSTOM | 10 mm – 450 mm | 5 mm – 350 mm | 1.5 mm – 10.0 mm | カスタム定義 | 50 mm – 1200 mm | 同心円 / 偏心 |
材料の物理的および熱的特性
| パラメータ | テスト規格 / 単位 | 値 / 特性 |
|---|---|---|
| 化学組成 | 分光法 | 高純度溶融石英 (SiO2 ≥ 99.99%) |
| 材料密度 | アルキメデス法 / g/cm³ | 2.20 g/cm³ |
| 連続使用温度 | 使用時熱限界 | 1100°C |
| 最大短期使用限界 | ピーク温度上昇閾値 | 1250°C |
| 軟化点 | ASTM C338 | 1730°C |
| アニーリング点 | ASTM C336 | 1180°C |
| ひずみ点 | ASTM C336 | 1120°C |
| 熱膨張係数 (CTE) | 熱膨張測定法 (20°C – 1000°C) | 5.5 × 10⁻⁷ /°C |
| 耐熱衝撃性 | 水冷テスト | 1100°C から 20°C まで破断なし |
| 熱伝導率 | 20°C / W/(m·K) | 1.4 W/(m·K) |
| 引張強さ | 機械試験 / MPa | 48 MPa |
| 圧縮強さ | 機械試験 / MPa | 1100 MPa |
| ヤング率(弾性率) | 音響共鳴 / GPa | 72 GPa |
| ポアソン比 | 機械的 / 無次元 | 0.17 |
| 誘電率 | 25°Cで 1 MHz | 3.75 |
| 屈折率 (nD) | 光学式ナトリウム Dライン (589.3 nm) | 1.4585 |
| 光透過率 | 260 nm – 2500 nm 分光法 | > 90% |
典型的な化学的微量不純物プロファイル
| 元素 | シンボル | 濃度(重量 ppm) |
|---|---|---|
| アルミニウム | Al | 12.0 – 16.0 |
| 鉄 | Fe | 0.2 – 0.6 |
| カルシウム | Ca | 0.4 – 0.9 |
| マグネシウム | Mg | 0.1 – 0.4 |
| ナトリウム | Na | 0.5 – 1.2 |
| カリウム | K | 0.4 – 0.8 |
| リチウム | Li | 0.2 – 0.5 |
| 銅 | Cu | < 0.05 |
| 全金属不純物 | 総金属含有量 | < 20.0 ppm |
端部終端およびフィッティングオプション
| 終端スタイル | 標準提供 | 一般的なアプリケーション接続 |
|---|---|---|
| 火炎研磨プレーンエンド | 標準的なスムーズ切断およびフレームグレーズ仕上げ | Ultra-Torrフィッティング、圧縮Oリングシール、炉エンドフランジ |
| すり合わせガラステーパー継手 | 標準テーパー ST 14/23, 19/26, 24/29, 29/32, 45/40 | ポリマーアダプターなしでの直接互換性のあるガラス器具接続 |
| 球面ボールソケット継手 | セミボールジョイント S13, S19, S28, S35, S50 | 角度調整ライン、応力フリー熱膨張継手 |
| ビーズ付きクイックフランジエンド | Oリングクランプ用石英ビーズエンド | 真空配管クランプカップリング、高純度フォアラインマニホールド |
| 溶融石英フランジ | ボルト穴またはスロット付きエッジを持つ研磨フラットフェイス | 金属製真空アセンブリまたはリアクタービューポートへの直接ボルト留め |
この製品を選ぶ理由
- 精密旋盤ホットフォーミング技術: 高度な自動ガラス加工旋盤が円錐形移行ゾーン全体の肉厚減少を制御し、手動で手描きされたレデューサーによく見られる構造的な薄いスポットや不均一な熱応力を排除します。
- 妥協のない化学およびマトリックス純度: 累積金属不純物が20 ppm未満の精製電気溶融石英のみから調達されており、感度の高いウェーハラン、触媒ベッド、およびCVD薄膜堆積物を元素のクロスコンタミネーションから保護します。
- 検証済みのゼロ応力アニーリング: すべての製品が自動炉ランプアニーリングとそれに続く包括的な偏光ひずみ検査を受け、残留機械的張力がゼロであり、熱衝撃に対する完全な回復力を確保しています。
- 同心および偏心レイアウトエンジニアリング: 対称的な流体動態のための標準同心形状と、水平な排気および回収ラインでの液体凝縮液の溜まりを排除するフラットボトム偏心構成の両方を提供します。
- 包括的な寸法カスタマイズ: 独自のプロセスツールやレガシーチューブ炉に直接一致するカスタム径比、独自の移行角度、延長レッグ長、および調整された終端フランジを設計します。
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