カソード・スパッタリングは薄膜蒸着に用いられるプロセスである。
このプロセスでは、固体のターゲットに高エネルギーのイオンが照射される。
これは、真空条件下で希薄雰囲気内の2つの電極間にグロー放電を発生させることによって達成される。
2つの電極とは、ターゲット（陰極）と基板（陽極）である。
電極間に放電を起こすために直流電界が印加される。
不活性ガス（通常はアルゴン）を導入すると、ガスがイオン化してプラズマが形成される。
正に帯電したアルゴンイオンは、負に帯電したターゲット（カソード）に向かって加速され、カソード材料がスパッタリングされる。
スパッタされた材料は、原子または分子の形で基板上に堆積し、薄膜またはコーティングを形成する。
蒸着材料の厚さは通常0.00005～0.01mmである。
ターゲット・デポジットとして使用される一般的な材料には、クロム、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、金、銀などがある。
スパッタリングは、表面の物理的特性を変えるエッチングプロセスである。
電気伝導性のための基板コーティング、熱損傷の低減、二次電子放出の促進、走査型電子顕微鏡用の薄膜の提供など、さまざまな用途に使用できる。
スパッタリング技術では、制御されたガス（通常はアルゴン）を真空チャンバーに導入する。
カソード（ターゲット）に通電し、自立プラズマを発生させる。
プラズマ内のガス原子は電子を失って正電荷イオンとなり、ターゲットに向かって加速される。
この衝撃でターゲット材料から原子や分子が転位し、蒸気流が発生する。
このスパッタされた材料はチャンバーを通過し、フィルムまたはコーティングとして基板上に堆積する。
スパッタリングシステムでは、カソードがガス放電のターゲットとなり、基板がアノードとして機能する。
高エネルギーイオン（通常はアルゴンイオン）がターゲットに衝突し、ターゲット原子を放出させる。
これらの原子が基板に衝突し、コーティングが形成される。
DCスパッタリングはカソードスパッタリングの一種で、直流ガス放電を利用する。
ターゲットが成膜源となり、基板と真空チャンバーの壁が陽極として機能し、電源は高電圧の直流電源である。
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