スパッタリングの利点には、ステップカバレッジの向上、電子ビーム蒸着に比べ放射線損傷が少ないこと、合金の成膜が容易であることなどが挙げられます。スパッタリングはまた、均一性、低不純物レベル、高膜密度、拡張性、高成膜速度などの利点も提供する。薄膜のメタライゼーション、ガラスやポリマーへのコーティング、磁性膜、装飾コーティングなどに広く利用されている。
しかし、スパッタリングには欠点もある。一般にスパッタリング速度は熱蒸着に比べて低い。成膜フラックス分布が不均一になることがあり、均一な膜厚を得るために追加の固定具が必要になる。スパッタリングターゲットは高価であり、材料の使用効率が悪い場合がある。スパッタリング中に発生する熱を効果的に除去する必要がある。場合によっては、プラズマ中でガス状の汚染物質が活性化し、膜の汚染につながることがある。反応性スパッタ蒸着の場合、ターゲットが被毒しないようにガス組成を注意深く制御する必要がある。スパッタリングはまた、資本費用が高く、特定の材料に対する成膜速度が比較的低く、イオン衝撃によって有機固体が容易に劣化する可能性がある。さらに、スパッタリングは蒸発による成膜に比べて、基板に不純物を導入する傾向が強い。
スパッタリングと蒸発の比較では、スパッタリングは、大型ターゲットの成膜が容易であること、成膜時間の調整による膜厚制御が容易であること、合金組成の制御が容易であること、電子ビーム蒸発で発生するX線によるデバイス損傷を回避できることなどの利点がある。しかし、スパッタリングは設備投資が高く、材料によっては成膜速度が低く、通電蒸気材料による基板加熱の可能性もある。
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