炭化ケイ素（SiC）の融点は約2730℃。
この高い融点は、その結晶格子中の炭素原子とケイ素原子の間の強い結合の結果であり、これがその卓越した熱特性に寄与している。
SiCの融点に関する4つの重要な洞察
1.化学組成と結晶構造
SiCの融点が際立って高いのは、その化学組成と結晶構造の性質によるものである。
SiCは、炭素原子とケイ素原子の四面体からなり、それらが結晶格子の中で強く結合している。
この構造がSiCの硬度と強度、そして高い耐熱性を生み出している。
SiC格子内の強固な結合は、切断するのに多大なエネルギーを必要とするため、融点が非常に高い。
2.熱特性
さらに、SiCの熱特性も高融点に寄与している。
この材料は高い熱伝導率（120～270W/mK）と低い熱膨張率（4.0x10-6/℃）を持ち、サイズや形状を大きく変化させることなく効率的に熱を伝えることができる。
この特性の組み合わせにより、SiCは非常に高い温度でも構造的完全性を維持することができ、その高い融点をさらに裏付けている。
3.高温用途
SiCの高い融点は、その他の熱特性とともに、半導体炉、タービン部品、電気炉の発熱体など、さまざまな高温用途の貴重な材料となっている。
劣化することなく極端な温度に耐える能力は、その化学組成と結晶構造の直接的な結果であり、これらが相まって融点に近い温度でも強度と安定性を維持することができる。
4.比類なき耐久性
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