薄膜用途の半導体材料は、集積回路、太陽電池、その他の電子デバイスの層を形成するのに不可欠である。
これらの材料は、特定の電気的、光学的、構造的特性に基づいて選択される。
これらの特性は、薄膜を作成するために使用される蒸着技術によって調整することができます。
薄膜用半導体材料の主な4種類
1.シリコン（Si）と炭化ケイ素（SiC）
シリコンと炭化シリコンは、集積回路の薄膜蒸着用の一般的な基板材料である。
シリコンは、その成熟した加工技術とよく理解された特性により、最も広く使用されている半導体材料である。
炭化ケイ素は、シリコンに比べて熱的・電気的特性が優れているため、高出力・高温用途に使用されている。
2.透明導電性酸化物（TCOs）
透明導電性酸化物は、太陽電池やディスプレイに使用され、導電性でありながら透明な層を提供する。
例えば、酸化インジウムスズ（ITO）や酸化亜鉛（ZnO）などがある。
TCOは、太陽電池やタッチスクリーンなど、透明性と導電性が要求されるデバイスにおいて重要である。
光を通すと同時に電流の通り道にもなる。
3. n型半導体とp型半導体
n型半導体とp型半導体は、ダイオードやトランジスタの基礎となる。
一般的なn型材料には、リンやヒ素がドープされたシリコンがある。
p型材料は、ホウ素がドープされたシリコンであることが多い。
これらの材料は、半導体デバイスの動作に不可欠な電子（n型）または電子ホール（p型）を過剰に発生させるためにドープされる。
n型材料とp型材料の接合は、ダイオードやトランジスタを含む多くの電子部品の基礎を形成している。
4.金属コンタクトと吸収層
金属接点と吸収層は、一般的に金属または金属合金であり、太陽電池のようなデバイスで電流を収集または伝導するために使用される。
例えば、アルミニウム、銀、銅などがある。
これらの層は、太陽電池のようなデバイスを効率的に動作させるために非常に重要である。
これらの層は、電力損失を最小限に抑えるために抵抗率が低く、下層との密着性が高くなければなりません。
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