分析機器アクセサリ・消耗品

不活性雰囲気および超高純度プロセスガス用高純度実験室用ガス精製装置

商品番号 : KT-JH

価格は以下に基づいて変動します仕様とカスタマイズ

出口不純物レベル: O2 ≤ 0.05 ppm, H2O ≤ 0.1 ppm
定格流量: 10 – 100 L/min
動作ガス圧力: 0.3 – 0.8 MPa

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製品概要

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この高純度ガス精製システムは、不活性ガスおよびプロセスガスから微量不純物を除去し、繊細な実験室研究やパイロットスケールの製造に不可欠な超高純度環境を実現するように設計されています。先進的な多段触媒脱酸素およびモレキュラーシーブ吸着カラムを採用することで、本装置は水分（H2O）および酸素（O2）の不純物レベルを0.1 ppm（parts per million）未満に安定して低減します。堅牢な設計により、高グレードのボンベ入り特殊ガスに依存することなく、信頼性が高く安定したコスト効率に優れたオンデマンド高純度ガス供給を求める施設に妥協のないソリューションを提供します。

厳しい研究・生産環境向けに特別設計された本装置は、高温管状炉、雰囲気制御マッフル炉、化学気相成長（CVD/PECVD）反応器、グローブボックス封じ込めシステム、アディティブ・マニュファクチャリング（3Dプリンティング）システムとシームレスに統合できます。対象分野には、半導体製造、リチウムイオン電池研究、先端光エレクトロニクス、精密冶金、触媒評価ラボが含まれます。これらの全分野において、不要な酸化、窒化、あるいは大気中の水分による劣化を防止することが、実験の再現性と生産歩留まりの向上のために極めて重要です。

連続稼働の耐久性を重視して設計された本システムは、完全自動のデュアルカラム再生機能、工業グレードの空圧バルブアレイ、高精度モニタリング機器を組み込んでいます。頑丈なステンレス鋼製流体配管構造により、高い動作圧力下でも漏れのない気密性を確保します。ダウンストリームへのガス供給を中断することなく連続的なろ過と再生を維持することで、本装置は研究者やプロセスエンジニアに対し、長期の熱処理や分析評価における雰囲気制御への絶対的な信頼を提供します。

主な特長

Sub-PPMレベルの高度ガス精製：触媒ゲッター技術と合成モレキュラーシーブを統合し、脱酸素と脱水を同時に達成。連続運転サイクル全体を通じて、酸素および水分の双方を0.1 ppm未満（<100 ppb）まで確実かつ大幅に低減します。
連続デュアルカラムサイクル運転：精製モードと再生モードを交互に行うツイン吸着カラムを搭載し、長時間の高温熱処理中も超高純度ガスの途切れない供給を保証します。
自動熱再生機能：高効率ヒータージャケットとプログラム可能なマイクロパージ制御を内蔵し、分解や手動での触媒交換を必要とせず、飽和した吸着剤ベッドを自動で完全再生します。
オールメタル超高真空（UHV）配管：電解研磨（EP）された316Lステンレス鋼配管、自動溶接継手、メタルガスケット面シールフィッティング（VCR/コンプレッション）で構成され、1×10⁻⁹ mbar·L/s未満のヘリウムリーク率を保証します。
リアルタイム露点および酸素モニタリング：高精度電解微量酸素センサーとセラミック露点トランスミッターを統合し、中央タッチスクリーンディスプレイ上にガス品質の連続デジタル検証を表示します。
直感的なHMIを備えたインテリジェントPLC制御：フルカラーのヒューマンマシンインターフェース（HMI）に接続された産業用プログラマブルロジックコントローラ（PLC）を採用し、自動圧力調整、ワンタッチでの起動/停止ルーチン、故障診断、自動安全インターロックを提供します。
過圧および流量安全インターロック：自動空圧遮断バルブ、機械式過圧安全弁、ブザー・ランプ警告アラームを含む多層フェイルセーフ機構を備え、ダウンストリームの汚染やシステムの過剰加圧を防止します。
多様な原料ガスへの対応力：純アルゴン、窒素、ヘリウム、フォーミングガスなど、幅広い工業用ガスおよびキャリアガスを精製可能。標準的な工業グレードのボンベを研究グレードの供給ラインに変換します。

用途

用途	概要	主なメリット
半導体および薄膜エピタキシー	ウエハプロセス中、超高純度アルゴンまたは窒素キャリアガスをCVD、PECVD、ALDチャンバーへ直接供給。	基板の酸化を防止し、ピンホール欠陥を最小限に抑え、繊細な原子層全体で高い膜均一性を確保。
不活性雰囲気熱処理	活性合金を処理する管状炉、真空雰囲気炉、歯科用焼結装置向けのシールドガスストリームを精製。	高温処理中におけるチタン、ジルコニウム、難溶性超合金の表面スケール発生や脱炭を排除。
リチウムおよび全固体電池のR&D	グローブボックス、パウチセル組み立てライン、電解液調合ステーション内の保護雰囲気を調製。	水分に非常に過敏なリチウム金属負極および固体電解質化学物質を、水分による致命的な劣化から保護。
光ファイバおよび太陽光発電の製造	プリフォーム線引き、シリコンインゴット製造、ウエハパッシベーションコンタクト層の成膜時におけるプロセス雰囲気を精製。	石英ガラスにおける水酸基（OH基）吸収帯を防止し、高効率太陽電池のキャリアライフタイムを維持。
アディティブ・マニュファクチャリング & 3Dプリンティング	選択的レーザー溶融（SLM）および電子ビーム溶融（EBM）の造形チャンバー内で不活性シールドガスを循環・精製。	極めて低い酸素レベルを維持し、活性金属プリンティングにおけるスパッタ、気孔（ポロシティ）、脆化を防止。
分析機器用キャリアガス供給	ガスクロマトグラフィー（GC-MS）、発光分析（OES）、TGA（熱重量分析）に超安定かつ水分フリーのキャリアガスを供給。	ベースラインノイズの低減、カラムブリードの防止、分析検出器の寿命延長、定量再現性の向上を実現。
触媒およびナノ材料合成	触媒還元、仮焼（焼成）、カーボンナノチューブ（CNT）の高圧合成中にクリーンな反応雰囲気を供給。	残留酸素や有機水分不純物による触媒活性点の被毒を防止。

技術仕様

仕様パラメーター	KT-JH-10	KT-JH-30	KT-JH-60	KT-JH-100
品番	KT-JH-10	KT-JH-30	KT-JH-60	KT-JH-100
精製対応ガス	Ar, N2, He, Kr, Ne, H2	Ar, N2, He, Kr, Ne, H2	Ar, N2, He, Kr, Ne, H2	Ar, N2, He, Kr, Ne, H2
定格流量	10 L/min (0.6 m³/h)	30 L/min (1.8 m³/h)	60 L/min (3.6 m³/h)	100 L/min (6.0 m³/h)
供給ガス純度条件	≥ 99.99% (テクニカルグレード)	≥ 99.99% (テクニカルグレード)	≥ 99.99% (テクニカルグレード)	≥ 99.99% (テクニカルグレード)
出口不純物レベル (O2)	≤ 0.05 ppm (≤ 50 ppb)	≤ 0.05 ppm (≤ 50 ppb)	≤ 0.05 ppm (≤ 50 ppb)	≤ 0.05 ppm (≤ 50 ppb)
出口不純物レベル (H2O)	≤ 0.1 ppm (露点 ≤ -90°C)	≤ 0.1 ppm (露点 ≤ -90°C)	≤ 0.1 ppm (露点 ≤ -90°C)	≤ 0.1 ppm (露点 ≤ -90°C)
出口粒子フィルタレーション	0.003 μm 微粒子フィルター	0.003 μm 微粒子フィルター	0.003 μm 微粒子フィルター	0.003 μm 微粒子フィルター
動作ガス圧力	0.3 – 0.8 MPa (3 – 8 bar)	0.3 – 0.8 MPa (3 – 8 bar)	0.3 – 0.8 MPa (3 – 8 bar)	0.3 – 0.8 MPa (3 – 8 bar)
最大耐圧	1.2 MPa (12 bar)	1.2 MPa (12 bar)	1.2 MPa (12 bar)	1.2 MPa (12 bar)
精製構造	デュアルカラム自動サイクル	デュアルカラム自動サイクル	デュアルカラム自動サイクル	デュアルカラム自動サイクル
再生機構	内蔵電熱スウィープ	内蔵電熱スウィープ	内蔵電熱スウィープ	内蔵電熱スウィープ
再生ガス消費量	定格流量の3〜5%	定格流量の3〜5%	定格流量の3〜5%	定格流量の3〜5%
接ガス部配管材質	316L ステンレス鋼 (EP)	316L ステンレス鋼 (EP)	316L ステンレス鋼 (EP)	316L ステンレス鋼 (EP)
ヘリウムリーク率	< 1.0 × 10⁻⁹ mbar·L/s	< 1.0 × 10⁻⁹ mbar·L/s	< 1.0 ×