スパッタリングとメッキは、どちらも薄膜の成膜に用いられる物理蒸着（PVD）技術であるが、そのメカニズムや用途は異なる。スパッタリングは、プラズマを利用してターゲット材料から原子を分離し、基板上に堆積させる。これに対し、イオンプレーティングは、熱蒸発とスパッタリングを組み合わせたもので、大電流を用いて材料を蒸発させ、基板上に堆積させる。
スパッタリング：
スパッタリングは、コーティング種（ターゲット）と基板との間にプラズマを発生させるプロセスである。このプラズマは、ターゲット材料から原子を離脱させるために使用される。その後、外れた原子が基材に蒸着され、薄膜が形成される。この技術は、半導体、CD、ディスクドライブ、光学デバイスの薄膜の成膜に特に有効である。スパッタ薄膜は、その優れた均一性、密度、純度、密着性で知られている。また、反応性スパッタリングにより、正確な組成の合金や、酸化物や窒化物のような化合物を製造することもできる。イオンプレーティング
- イオンプレーティングは、熱蒸発とスパッタリングを組み合わせたハイブリッド技術である。高電流を使用して金属材料を蒸発させ、金属イオンを工具または基板上に誘導してコーティングする。この方法では、単純な熱蒸発と比較して、密着性が向上し、より緻密なコーティングが可能になる。イオンプレーティングは、優れた密着性と緻密なコーティングが必要な場合によく使用される。比較
- メカニズム： スパッタリングは、プラズマによって原子がターゲットから叩き落とされる物理的プロセスに依存しているのに対し、イオンプレーティングは、電流を使用して材料を蒸発させ、析出させる。
- 用途： スパッタリングは、半導体デバイスの機能膜、情報表示デバイス、装飾用途に広く使用されている。イオンプレーティングは、より緻密で密着性の高い皮膜を形成できるため、高い耐久性と性能が要求される用途に使用される。
利点
スパッタリングの一種であるマグネトロンスパッタリングは、緻密な構造、広いスパッタエリア、密着性を高める高エネルギー原子、コンパクト性、ピンホールのなさなどの利点を備えている。これらにより、多くのハイテク用途に好んで使用されている。
