スパッタリング速度は、単位時間当たりにターゲットから除去される材料の量を示す尺度であり、通常、1秒当たりの単分子膜量で表される。スパッタリング速度は、スパッタリング収率、ターゲット材料のモル重量、材料密度、イオン電流密度など、いくつかの要因に影響される。
スパッタリング速度に影響を与える要因の説明：
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スパッタリング収率 (S):入射イオン1個あたりにターゲットから放出される原子の数。ターゲットから材料が除去される速度に直接影響するため、重要な要素である。スパッタリング収率は、ターゲットの材質、入射粒子の質量、エネルギーに依存する。一般に、スパッタリングの典型的なエネルギー範囲（10～5000eV）内では、照射粒子の質量とエネルギーが大きくなるにつれて歩留まりが向上する。
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ターゲットのモル重量 (M):タ ー ゲ ッ ト 材 料 の モ ル 重 量 も スパッタリング速度を決定する一因となる。モル重量の大きい材料は、他のすべての要素が一定であると仮定した場合、軽い材料に比べてスパッタリング速度が異なる。
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材料密度 (p):タ ー ゲ ッ ト 材 料 の 密 度 は 、原 子 の 密 度 に 影 響 を 与 え ま す 。密度の高い材料は、単位面積当たりの原子の数が多くなり、原子がスパッタリングされる速度に影響します。
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イオン電流密度 (j):ターゲットに入射するイオン束の量を指す。イオン電流密度が高ければ高いほど、単位面積あたり、単位時間あたり、より多くのイオンがターゲットに衝突することを意味し、スパッタリング速度を高めることができる。
スパッタリングレートの数学的表現：
スパッタリングレートは数学的に次のように表すことができる：[スパッタリングレートは次のように数学的に表すことができる。
ここで、( N_A ) はアボガドロ数、( e ) は電子電荷である。この式は、スパッタリングレートがスパッタリング収率、モル重量、イオン電流密度に正比例し、材料密度とアボガドロ数に反比例することを示している。実用的な意味合いと課題：
実用的な用途では、スパッタリング速度は成膜速度とコーティングの品質を制御する上で極めて重要である。し か し 、ス パ ッ タ 電 流 、電 圧 、圧 力 、タ ー ゲ ッ ト か ら 試 料 ま で の 距 離 な ど 、多 く の 変 数 が 関 係 す る た め 、ス パ ッ タ ー 率 を 精 確 に 計 算 す る こ と は し ば し ば 難 し い 。そのため、スパッタリングプロセスをより正確に制御するには、膜厚モニターを使用して実際の成膜膜厚を測定することを推奨する。
