金スパッタリングでは、通常2～20 nmの膜厚が得られる。この範囲は走査型電子顕微鏡（SEM）の用途に特に関連しており、コーティングは試料の帯電を防ぎ、二次電子の放出を増加させることでS/N比を高める役割を果たす。
詳細説明
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SEMにおける金スパッタリングの目的：
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SEMでは、非導電性または導電性の低い試料に静電場が蓄積されることがあり、これが撮像の妨げになります。これを軽減するために、金のような導電性材料の薄層をスパッタリングによって適用します。このプロセスでは、通常、高真空環境で、高エネルギー粒子を試料表面に衝突させて金属を蒸着させる。塗布された金属層は電荷を試料から伝導させ、SEM画像の歪みを防ぐ。金スパッタリングの厚さ：
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- 参考文献によると、SEM用途のスパッタ膜の厚さは一般に2～20 nmである。この範囲は、導電性の必要性と、試料表面の詳細を不明瞭にしない必要性とのバランスを取るために選択される。膜厚が厚いとアーチファクトが発生したり、試料の表面特性が変化したりする可能性があり、膜厚が薄いと十分な導電性が得られない可能性がある。具体例とテクニック
- 金／パラジウム・コーティング： 特定の設定（800V、12mA、アルゴンガス、0.004barの真空）を用いて、3nmの金/パラジウムをコーティングした6インチウェハーの例が示されている。この例は、スパッタリングで達成可能な精度を示しており、コーティングはウェーハ全体で均一である。
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膜厚の計算： 別の方法として、2.5KVでのAu/Pdコーティングの膜厚を計算するために、干渉計技術を用いる方法が挙げられる。提供された式（Th = 7.5 I t）により、電流（I（mA））と時間（t（分））に基づいてコーティングの厚さ（オングストローム）を推定することができる。この方法によると、典型的なコーティング時間は、20 mAの電流で2～3分となる。
金スパッタリングの限界と適性：
