金属スパッタリングは、基板上に金属の薄膜層を堆積させるために使用されるプロセスです。ターゲットと呼ばれるソース材料の周囲に高電界を発生させ、この電界を利用してプラズマを発生させる。プラズマはターゲット材料から原子を除去し、基板上に堆積させる。
スパッタリングでは、ガスプラズマ放電が2つの電極（ターゲット材料でできたカソードと基板であるアノード）の間にセットアップされる。プラズマ放電によってガス原子は電離し、正電荷を帯びたイオンになる。これらのイオンはターゲット材料に向かって加速され、ターゲットから原子や分子を外すのに十分なエネルギーで衝突する。
外された材料は蒸気流を形成し、真空チャンバー内を移動して最終的に基板に到達する。蒸気流が基板に当たると、ターゲット材料の原子や分子が基板に付着し、薄膜やコーティングが形成される。
スパッタリングは、導電性または絶縁性材料のコーティングを成膜するために使用できる汎用性の高い技術である。コーティングや基材が導電性である必要がないため、基本的にあらゆる基材に化学的純度の非常に高いコーティングを成膜することができる。このためスパッタリングは、半導体加工、精密光学、表面仕上げなどの産業における幅広い用途に適している。
金スパッタリングの場合、スパッタリング・プロセスを使って表面に金の薄層を堆積させる。金スパッタリングは、他のスパッタリングと同様、最適な結果を得るためには特別な装置と制御された条件が必要である。ターゲットと呼ばれる金のディスクが、蒸着用の金属源として使用される。
全体として、スパッタリングは、基板上に金属やその他の材料の薄膜を成膜するために広く使われている技術である。蒸着膜の均一性、密度、密着性に優れているため、さまざまな産業分野のさまざまな用途に適している。
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