薄膜成膜技術として広く用いられているスパッタリング法には、その効率、費用対効果、さまざまな用途への適用性に影響するいくつかの重大な欠点がある。これらの欠点には、資本費用が高いこと、特定の材料の蒸着率が比較的低いこと、イオン衝撃による一部の材料の劣化、蒸着法と比べて基板に不純物が混入しやすいことなどがある。さらに、スパッタリングは、リフトオフプロセスとの組み合わせ、レイヤーごとの成長制御、高い生産収率と製品耐久性の維持といった課題にも直面している。
高額な設備投資： スパッタリング装置は複雑なセットアップとメンテナンスが必要なため、多額の初期投資が必要となる。資本コストは他の成膜技法に比べて高く、材料、エネルギー、メンテナンス、減価償却を含む製造コストも相当なもので、CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）などの他の成膜技法を上回ることが多い。
特定の材料の蒸着率が低い： SiO2などの一部の材料は、スパッタリング中の成膜速度が比較的低い。このような低成膜速度は、製造工程を長引かせ、生産性に影響を与え、運用コストを増加させる可能性がある。
イオン衝撃による材料の劣化： 特定の材料、特に有機固体は、イオンの影響によりスパッタリングプロセス中に劣化しやすい。こ の 劣 化 に よ っ て 材 料 特 性 が 変 化 し 、最 終 製 品 の 品 質 が 低 下 す る 可 能 性 が あ る 。
不純物の混入： スパッタリングは蒸着法に比べて真空度が低いため、基板に不純物が混入する可能性が高くなる。これは成膜の純度や性能に影響を及ぼし、欠陥や機能低下につながる可能性がある。
リフトオフ・プロセスとレイヤー・バイ・レイヤー成長制御の課題： スパッタリングの拡散輸送特性は、原子の行き先を完全に制限することを困難にし、膜を構造化するためのリフトオフプロセスとの統合を複雑にしている。この制御の欠如はコンタミネーションの問題につながる。さらに、スパッタリングでは、パルスレーザー蒸着などの技術と比較して、レイヤーごとの成長に対する能動的な制御がより困難であり、成膜の精度と品質に影響を及ぼす。
生産歩留まりと製品の耐久性： 成膜層数が増えると生産歩留まりが低下する傾向があり、製造プロセス全体の効率に影響を与える。さらに、スパッタリング成膜された膜は軟らかいことが多く、取り扱いや加工中に損傷を受けやすいため、劣化を防ぐために慎重な梱包と取り扱いが必要となる。
マグネトロンスパッタリング特有の欠点： マグネトロンスパッタリングでは、リング状の磁場を使用するため、プラズマの分布が不均一になり、その結果、ターゲットにリング状の溝が生じ、ターゲットの利用率が40%未満に低下する。この不均一性はプラズマの不安定性にもつながり、強磁性材料の低温での高速スパッタリングが制限される。
これらの欠点は、特定の状況におけるスパッタリングの適用可能性を慎重に検討する必要性と、これらの課題を軽減するための継続的な研究開発の可能性を浮き彫りにしている。
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