ラボ用材料は、最適な特性、性能、品質を必要とする先進技術の研究、開発、生産にとって重要なコンポーネントです。
KinTek は、金属、金属酸化物、化合物を含む幅広い高純度材料を提供します。これらの材料は純度 99.99% または 5N (ファイブナイン) レベルで、高品質の磁性材料や半導体材料、蛍光体、熱電材料の調製などのさまざまな用途に適しています。
ラボ用材料は、最適な特性、性能、品質を必要とする先進技術の研究、開発、生産にとって重要なコンポーネントです。
KinTek は、金属、金属酸化物、化合物を含む幅広い高純度材料を提供します。これらの材料は純度 99.99% または 5N (ファイブナイン) レベルで、高品質の磁性材料や半導体材料、蛍光体、熱電材料の調製などのさまざまな用途に適しています。
鉄ガリウム合金(FeGa)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-FeGa
テルル化コバルト(CoTe)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CoTe
銅ジルコニウム合金(CuZr)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CuZr
銅ニッケル合金(CuNi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CuNi
銅ニッケルインジウム合金(CuNiIn)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CuNiIn
アルミニウム銅合金(AlCu)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-AlCu
コバルトシリサイド(CoSi2)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CoSi2
ジルコニウムシリコン合金(ZrSi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-ZrSi
ニッケルシリコン合金(NiSi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-NiSi
ジルコニウム銀合金(ZrAg)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-ZrAg
錫ビスマス銀合金(SnBiAg)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-SnBiAg
クロムニッケル合金(CrNi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CrNi
ニッケルアルミニウム合金(NiAl)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-NiAl
ニッケルニオブ合金(NiNb)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-NiNb
鉄ニッケル合金(FeNi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-FeNi
マンガン・コバルト・ニッケル合金(MnCoNi)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-MnCoNi
窒化ホウ素(BN)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-BN
窒化アルミニウム(AlN)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-AlN
窒化ケイ素(Si3N4)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-Si3N4
窒化チタン(TiN)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-TiN
窒化タンタル(TaN)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-TaN
硫化亜鉛(ZnS)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-ZnS
硫化モリブデン(MoS2)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-MoS2
硫化スズ(SnS2)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-SnS2
硫化タングステン(WS2)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-WS2
硫化カドミウム(CdS)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-CdS
炭化ホウ素(B4C)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-B4C
ハフニウムカーバイド(HfC)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-HfC
炭化タングステン(WC)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-WC
炭化モリブデン(Mo2C)スパッタリングターゲット/粉末/ワイヤー/ブロック/顆粒
商品番号 : LM-Mo2C
高純度材料の分野では、純度レベルはパーセンテージで表されます。たとえば、2N が 99%、2N5 が 99.5%、3N が 99.9%、3N5 が 99.95%、4N が 99.99%、4N5 が 99.995%、6N が 99.9999 です。 %、7N は 99.99999%。たとえば、4N-6N は 99.99% ~ 99.9999% の範囲の純度レベルを意味します。
スパッタリングは、プラズマまたはガスからの高エネルギー粒子が固体材料の表面に衝突し、微細な粒子が放出される物理現象です。このプロセスは宇宙空間で自然に発生し、精密部品に不要な摩耗を引き起こす可能性があります。ただし、光学コーティング、半導体デバイス、およびナノテクノロジー製品の製造において、精密なエッチング、分析技術を実行し、薄膜層を堆積するために科学や産業でも利用されています。
スパッタリングターゲットは、さまざまな製品のコーティングの作成など、幅広い用途に使用できます。たとえば、タンタル スパッタリング ターゲットは、現代のエレクトロニクスの必須コンポーネントの製造に使用されています。これらのコンポーネントには、マイクロチップ、メモリ チップ、プリント ヘッド、フラット パネル ディスプレイなどが含まれます。
スパッタリング ターゲットのもう 1 つの重要な用途は、Low-E ガラスとしても知られる低放射線コーティングされたガラスの製造です。このタイプのガラスは、その省エネ特性、光の制御能力、および美的魅力により、建築建設によく使用されます。
再生可能エネルギーへの需要の高まりに伴い、スパッタコーティング技術は第3世代薄膜太陽電池の作製にも活用されています。これらの太陽電池はスパッタリングターゲットを使用して製造されるため、太陽電池パネルの製造に不可欠な要素となります。
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熱間静水圧プレス(HIP)は、高温高圧で材料を高密度化するために使用される技術です。このプロセスでは、材料を密閉容器に入れ、不活性ガスで加圧し、高温に加熱します。
熱間静水圧プレス (HIP) は、セラミック材料の密度を高め、金属の気孔を減らす上で重要な役割を果たす強力な製造プロセスです。航空宇宙、粉末冶金、部品製造などのさまざまな業界で広く利用されています。
冷間静水圧プレス (CIP) サービスは、製品または冷間圧縮粉末を滅菌するために非常に高い圧力を利用します。 CIP は、複雑な形状を作成し、材料の最終密度を高めるのに特に効果的です。
静水圧プレスはさまざまな業界で重要な役割を果たし、材料の強化と製品の作成に独自の機能を提供します。これらの強力な機械は全方向から均等な圧力を加え、均一な密度と欠陥の少ない製品をもたらします。等方圧プレスは、冷間等方圧プレス (CIP) と熱間等方圧プレス (HIP) の 2 つの主なタイプに分類されます。それぞれのタイプで異なる条件下で機能するため、幅広い用途に使用できます。
ラボ用プレスは、製薬、材料科学、エレクトロニクスなどの幅広い業界の研究開発に不可欠なツールです。
冷間静水圧プレス (CIP) は、液体圧力を使用して粉末を圧縮することによって材料を加工する方法です。金型加工に似ており、パスカルの法則に基づいています。
温間静水圧プレス (WIP) は、材料の密度を高め、欠陥を減らすために使用される高圧技術です。これには、材料を高圧および高温にさらすと同時に、不活性ガスを適用して材料を均一に圧縮することが含まれます。
静水圧プレスは、高性能な素材や部品の製造に用いられるプロセスです。材料や部品の全面に均一な圧力を加えることで、密度が均一になり、機械的特性が向上します。
薄膜の堆積に使用される最も一般的な 2 つの技術は、蒸着とスパッタリングです。
タングステンには、高温炉での使用に適した多くの特性があります。