スパッタリングガスは、通常、スパッタリングプロセスで使用されるアルゴンなどの不活性ガスである。
スパッタリングは、気体プラズマを利用して固体ターゲット材料の表面から原子を離脱させる薄膜堆積法である。
このプロセスでは、不活性ガスのイオンがターゲット材料に加速され、原子が中性粒子の形で放出される。
これらの中性粒子は、その後、基板表面に薄膜として付着する。
プロセスを理解するための5つのポイント
1.不活性ガスの役割
スパッタリングプロセスでは、不活性ガスで満たされた真空チャンバーに基板とターゲット材料を入れる。
2.高電圧の印加
高電圧をかけると、ガス中のプラスに帯電したイオンがマイナスに帯電したターゲット材に引き寄せられ、衝突が起こる。
3.原子の放出
この衝突によってターゲット材料から原子が放出され、基板上に堆積して薄膜が形成される。
4.真空環境
スパッタリングは真空中で行われ、無菌で汚染のない環境を維持する。
5.スパッタリングの汎用性
スパッタリングは物理的気相成長法の一種で、導電性または絶縁性材料の成膜に使用できる。
スパッタリング技法はさらに、直流（DC）、高周波（RF）、中周波（MF）、パルスDC、HiPIMSなどのサブタイプに分類することができ、それぞれに適用性がある。
全体として、アルゴンなどのスパッタリングガスは、ターゲット材料からの原子の離脱と基板上への薄膜の堆積を促進することにより、スパッタリングプロセスにおいて重要な役割を果たします。
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