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プラズマ支援化学気相成長 (PACVD) 装置は、標準の化学気相成長と比較して低温で基板上に複数の材料の薄膜を堆積するのに役立つ半導体製造ツールです。これは、平行な電極間に反応ガスを導入することで機能し、そこでガスがプラズマに変換され、基板上に反応生成物を堆積させる化学反応が引き起こされます。これらの機械は現代の半導体製造に不可欠であり、優れた膜均一性、低温処理、高スループットを実現します。高度な電子デバイスの需要が高まるにつれ、PACVD 装置は半導体業界でますます重要な役割を果たすことになります。


当社は、高品質の薄膜の製造に最適なプラズマ支援化学蒸着 (PACVD) 装置ソリューションを提供します。当社の機械はプラズマ支援化学蒸着 (PACVD) を使用して、優れた均一性と密着性を備えた薄膜を作成します。当社の機械は、低圧CVDやリモートプラズマCVDなど、さまざまな形式で利用できます。また、お客様の特定のニーズを満たすオーダーメイドのデザインサービスも提供しています。当社の広範なソリューションのポートフォリオにより、お客様のニーズを満たす適切な標準ソリューションを確実に提供します。

PACVD装置の応用例

  • 電子デバイス用薄膜の成膜
  • 太陽電池および太陽光発電デバイスのコーティング
  • 光学デバイス用の反射防止膜の製造
  • 切削工具および機械部品用の耐摩耗性コーティングの製造
  • 食品包装用の汚染を防ぐバリアコーティングの開発
  • 医療機器用の生体適合性コーティングの作成
  • 自動車部品の保護塗料の製造
  • 航空宇宙部品用のコーティングの製造
  • 微小電気機械システム (MEMS) 用コーティングの開発
  • ナノテクノロジー用途向けのコーティングの作成

PACVD装置の利点

  • 低い蒸着温度
  • 高い成膜効率
  • 制御可能なパラメータ
  • 堆積された薄膜の良好な誘電特性
  • 蒸着された薄膜の機械的応力が低い
  • 堆積された薄膜のコンフォーマルなステップカバレッジと均一性が良好

当社の PACVD 装置は、高品質で手頃な価格の薄膜堆積を探しているユーザーにとって最適なソリューションです。当社の装置はプラズマ化学気相成長 (PACVD) 法を利用しており、他の成膜プロセスよりも低い基板温度での成膜が可能です。当社の PACVD 装置はコスト効率が高いだけでなく、お客様の特定の要件に応えるための完全なカスタマイズ サービスも提供しています。

FAQ

PACVDってPECVDなの?

はい、PACVD (プラズマ支援化学気相成長) は、PECVD (プラズマ支援化学気相成長) の別の用語です。このプロセスは、電場内で形成された高エネルギーのプラズマを使用して、熱 CVD よりも低い温度で CVD 反応を活性化するため、サーマル バジェットの低い基板や堆積膜に最適です。プラズマを変化させることにより、堆積膜の特性に追加の制御を加えることができます。ほとんどの PECVD プロセスは、放電プラズマを安定させるために低圧で実行されます。

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